中新社大連10月21日電 (記者 楊毅)英特爾21日對外宣布，將其與美光合資開發的最新非易失性存儲技術引入中國，並在遼寧大連投資55億美元，升級原有的英特爾大連工廠以生產“非易失性存儲”設備。

　　非易失性存儲芯片是指在斷電情況下，依舊能保存數據的芯片。非易失性存儲芯片包括了目前被廣泛應用于智能手機、平板電腦的閃存芯片。英特爾目前通過與美光的合資公司制造閃存芯片，廣泛用于硬盤和其它存儲設備。

　　英特爾(中國)有限公司已于19日與大連市政府簽署相關合作協議，項目將于2016年年底實現正式投產。

　　據英特爾方面介紹，目前，世界上大部分的數據中心都采用了英特爾的服務器芯片和固態硬盤。非易失性存儲固態硬盤項目是英特爾核心計算業務，英特爾將利用大連晶圓廠拓展非易失性存儲芯片制造能力，大連新工廠也將成為英特爾在全球第一個用300毫米晶圓領先生產技術的非易失性存儲產品集成電路制造中心。

　　英特爾公司全球副總裁、中國區總裁楊旭表示，該戰略性計劃是英特爾深化其非易失性存儲器業務發展戰略的一個重要舉措。今年恰逢英特爾扎根中國30周年，這項投資將成為英特爾進一步踐行“生根中國，綻放世界”戰略的重要里程碑。

　　大連市市長肖盛峰在簽約儀式上表示，大連是中國對外開放最早、經濟合作功能最全的城市之一，已經成為跨國公司投資發展的一片熱土。英特爾公司作為全球知名跨國公司和集成電路領域的領軍企業，以雄厚的技術實力和巨額投資參與大連的產業發展，必將為集成電路產業迅速壯大起到積極的推動作用。

　　英特爾在2007年宣布投資建造大連工廠，並于2010年正式投產，成為其在亞洲唯一的晶圓制造工廠。此次投資升級計劃是英特爾迄今在中國的最大一筆投資。