中新社大连10月21日电 (记者 杨毅)英特尔21日对外宣布，将其与美光合资开发的最新非易失性存储技术引入中国，并在辽宁大连投资55亿美元，升级原有的英特尔大连工厂以生产“非易失性存储”设备。

　　非易失性存储芯片是指在断电情况下，依旧能保存数据的芯片。非易失性存储芯片包括了目前被广泛应用于智能手机、平板电脑的闪存芯片。英特尔目前通过与美光的合资公司制造闪存芯片，广泛用于硬盘和其它存储设备。

　　英特尔(中国)有限公司已于19日与大连市政府签署相关合作协议，项目将于2016年年底实现正式投产。

　　据英特尔方面介绍，目前，世界上大部分的数据中心都采用了英特尔的服务器芯片和固态硬盘。非易失性存储固态硬盘项目是英特尔核心计算业务，英特尔将利用大连晶圆厂拓展非易失性存储芯片制造能力，大连新工厂也将成为英特尔在全球第一个用300毫米晶圆领先生产技术的非易失性存储产品集成电路制造中心。

　　英特尔公司全球副总裁、中国区总裁杨旭表示，该战略性计划是英特尔深化其非易失性存储器业务发展战略的一个重要举措。今年恰逢英特尔扎根中国30周年，这项投资将成为英特尔进一步践行“生根中国，绽放世界”战略的重要里程碑。

　　大连市市长肖盛峰在签约仪式上表示，大连是中国对外开放最早、经济合作功能最全的城市之一，已经成为跨国公司投资发展的一片热土。英特尔公司作为全球知名跨国公司和集成电路领域的领军企业，以雄厚的技术实力和巨额投资参与大连的产业发展，必将为集成电路产业迅速壮大起到积极的推动作用。

　　英特尔在2007年宣布投资建造大连工厂，并于2010年正式投产，成为其在亚洲唯一的晶圆制造工厂。此次投资升级计划是英特尔迄今在中国的最大一笔投资。